整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。顆粒編號解釋如下:1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。2． 內(nèi)存芯片類型:5D=DDR SDRAM3． 處理工藝及供電:V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V4． 芯片容量密度和刷新速度:64:64M 4K刷新；66:64M 2K刷新；28:128M 4K刷新；56:256M 8K刷新；57:256M 4K刷新；12:512M 8K刷新；1G:1G 8K刷新5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu):4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片6． 內(nèi)存bank儲蓄位:1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank7． 接口類型:1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_188． 內(nèi)核代號:空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代9． 能源消耗:空白=普通；L=低功耗型10． 封裝類型:T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGAUTC:8x13mm11． 封裝堆棧:空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCPHynix；MU＝MCPUTC12． 封裝原料:空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素13． 速度:D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR20014． 工作溫度:I=工業(yè)常溫-40 - 85度；E=擴(kuò)展溫度-25 - 85度由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買到一款這里顯示為L的產(chǎn)品也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率，那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。常見SDRAM 編號識別維修SDRAM內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號的含義，在其編號中包括以下幾個(gè)內(nèi)容:廠商名稱代號、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過對這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點(diǎn)。1世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下:▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代▲ MT Micron ------- 美光▲ GM LG-Semicon▲ HYB SIEMENS ------ 西門子▲ HM Hitachi ------ 日立▲ MB Fujitsu ------ 富士通▲ TC Toshiba ------ 東芝▲ KM Samsung ------ 三星▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)2內(nèi)存芯片速度編號解釋如下:★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范，速度為7ns.★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范，速度為7.5ns.★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范，速度為8ns.★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范，速度為10ns.★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范，速度為15ns.3 編 號 形 式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片類別，7---SDRAM; D—DDR SDRAM.b表示電壓，V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量，16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd表示帶寬。f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL3； 2—SSTL_2.g表示版本號，B—第三代。h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZCL=2;10S—100MHZCL=310—100MHZ非PC100。例:1 HY57V651620B TC-75按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為:SDRAM， 3.3V， 64M， 133MHZ.2 HY57V653220B TC-7按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為:SDRAM， 3.3V， 64M， 143MHZ全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、臺灣:序號 品牌 國家/地區(qū) 標(biāo)識 備注1 三星 韓國 SAMSUNG2 現(xiàn)代 韓國 HY3 樂金 韓國 LGS 已與HY合并4 邁克龍 美國 MT5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合并6 日電 日本 NEC7 日立 日本 HITACHI8 沖電氣 日本 OKI9 東芝 日本 TOSHIBA10 富士通 日本 F11 西門子 德國 SIEMENS12 聯(lián)華 臺灣 UMC13 南亞 臺灣 NANYA14 茂矽 臺灣 MOSEI